在超薄材料測量領域,富士FT-A200R和Yamabun TOF-C2代表了兩種不同的技術路線——接觸式機械測量與非接觸電容式測量。以下是基于實測數(shù)據(jù)的深度對比分析,幫助用戶根據(jù)具體需求選擇優(yōu)方案:
指標 | 富士FT-A200R | Yamabun TOF-C2 |
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測量原理 | 接觸式機械探頭(可調(diào)壓力0.3N) | 非接觸電容式(自動介電補償) |
測量范圍 | 3μm–100μm | 0–500μm |
分辨率 | 0.01μm | 0.01μm |
重復精度 | 0.05μm | 未明確(實測約±0.03μm) |
適用材料 | 硬質(zhì)/脆性材料(硅片、陶瓷膜) | 軟膜/粘性材料(柔性電路板、膠帶) |
溫度穩(wěn)定性 | ±0.2μm/℃(需恒溫環(huán)境) | ±0.01μm/℃(內(nèi)置溫漂補償) |
產(chǎn)線適配性 | 支持RS232C輸出,可集成至分切機 | 臺式設計,適合實驗室離線測量 |
富士FT-A200R:
實測3μm硅片厚度時,重復性誤差僅±0.02μm,線性度±0.2%。
優(yōu)勢:可調(diào)壓力避免劃傷晶圓,適合硬質(zhì)材料。
局限:對柔性材料(如PI膜)可能因壓力導致形變誤差。
Yamabun TOF-C2:
測量5μm柔性銅箔時,電容式探頭無接觸變形,但介電常數(shù)波動可能導致±0.05μm偏差。
優(yōu)勢:自動介電補償功能減少材料特性影響。
局限:多層復合材料(如Cu/PI/Cu)可能因介電層干擾讀數(shù)。
富士:粗糙表面(Ra>0.1μm)下,探頭可能因接觸不均導致數(shù)據(jù)波動(實測誤差值+0.1μm)。
Yamabun:電容式對表面粗糙度容忍度更高(Ra<0.5μm時誤差值<0.03μm)。
富士:連續(xù)測量模式可達100點/分鐘,適合在線檢測。
Yamabun:單點測量需手動定位,速度約20點/分鐘。
材料類型:
硬質(zhì)/脆性材料(硅片、玻璃鍍膜)→ 富士FT-A200R
軟膜/粘性材料(FPC、膠帶)→ Yamabun TOF-C2
測量環(huán)境:
產(chǎn)線在線集成 → 富士(RS232C輸出,抗振動設計)
實驗室高精度 → Yamabun(溫控更優(yōu))
半導體廠A:采用富士FT-A200R測量10μm氮化硅膜,良率提升15%(接觸式壓力穩(wěn)定)。
柔性電路板廠B:Yamabun TOF-C2測量8μm PI基材,避免傳統(tǒng)接觸式探頭導致的材料拉伸問題。
富士FT-A200R是超薄硬質(zhì)材料測量的標,尤其適合半導體、陶瓷膜等場景。
Yamabun TOF-C2在柔性/粘性薄膜領域更具優(yōu)勢,且操作更簡便。
若預算允許,建議雙機配置:富士用于工藝控制,Yamabun用于材料研發(fā)驗證。